物理实验

2002, (04) 15-17

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掺铜及掺铝多孔硅的光致发光及其发光机理
Carrier recombination processes in copper and aluminium doped porous silicon

薛清,黄远明

摘要(Abstract):

分别将特定杂质铜和铝引入多孔硅后 ,观察到了杂质铜和铝所引起的附加发光带 :对于没有掺铜的多孔硅 ,其光致发光谱只有一个发光带 ;而掺过铜的多孔硅 ,其光致发光谱出现两个发光带 ,其中能量较低的发光带随主发光带而变化 .在掺铝多孔硅的光致发光谱中 ,则出现 4个与铝杂质能级有关的发光带 .我们认为上述与杂质有关的发光带是由载流子在杂质深能级上复合所致 .

关键词(KeyWords): 多孔硅;光致发光;深能级

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基金项目(Foundation):

作者(Author): 薛清,黄远明

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