物理实验

2020, v.40;No.357(05) 1-5

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利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构
Study on the multiple quantum well structure of GaN-based LED using C-V measurement

郑晓思;符斯列;

摘要(Abstract):

利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00nm,阱层的平均杂质浓度为7.12×10~(18) cm~(-3),GaN垒层的平均垒宽为12.32nm,垒层的平均杂质浓度为0.82×10~(18) cm~(-3).温度降低,InGaN阱宽变窄,杂质浓度增大,而GaN垒宽变宽,杂质浓度降低.

关键词(KeyWords): C-V测量法;GaN基蓝光LED;多量子阱

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金资助(No.10575039);; 广东省自然科学基金资助(No.S2013010012548);; 广东省高校特色创新项目资助(No.2018KTSCX121)

作者(Author): 郑晓思;符斯列;

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DOI:

参考文献(References):

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