物理实验

2004, (05) 46-48

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GaN基量子阱的激子跃迁和光学性质
Excitonic transition and optical property of GaN-based quantum wells

熊飞

摘要(Abstract):

采用光致发光谱、光致发光激发谱以及拉曼光谱对GaN基量子阱材料进行了实验观察和分析 .实验结果表明样品中量子点结构不均匀及InGaN层中In成分分布不均匀 ,且其光致发光谱的波峰是由自由激子辐射复合发光引起的 .同时由室温下InGaN/GaN量子阱的拉曼谱可得知InGaN/GaN多量子阱的结构特征

关键词(KeyWords): InGaN/GaN多量子阱;光致发光谱(PL);光致发光激发谱(PLE);拉曼光谱

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作者(Author): 熊飞

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