熊飞

• 1:武汉大学物理科学与技术学院 湖北武汉430072

摘要(Abstract)：

采用光致发光谱、光致发光激发谱以及拉曼光谱对GaN基量子阱材料进行了实验观察和分析 .实验结果表明样品中量子点结构不均匀及InGaN层中In成分分布不均匀 ,且其光致发光谱的波峰是由自由激子辐射复合发光引起的 .同时由室温下InGaN/GaN量子阱的拉曼谱可得知InGaN/GaN多量子阱的结构特征

关键词(KeyWords)： InGaN/GaN多量子阱;光致发光谱(PL);光致发光激发谱(PLE);拉曼光谱

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 熊飞

Email:

DOI:

参考文献(References)：

• [1]　顾海涛,熊贵光.GaN基量子阱激子结合能和激子光跃迁强度[J].半导体光电,2001,22(3):173～176.
• [2]　WangT ,NakagawaD ,LachabMT ,etal.SakaiOp ticalinvestigationofInGaN/GaNmultiple quantumwells[J].Appl.Phys.,1999,74(21):3128～3130.
• [3]　LiuW ,ChuaSJ,ZhangXH .Effectofhightemper atureandinterfacetreatmentson photoluminescencefromInGaN/GaNmultiplequantumwellswithgreenlightemissions[J].Appl.Phys.,2003,83(5):914～916.
• [4]　ChoYH ,GainerGH ,FischerAJ ,etal.“S shaped”temperature dependentemissionshiftandcar rierdynamicsinInGaN/GaNmultiplequantumwells[J].Appl.Phys.,1998,73(10):1370～1372.
• [5]　YangHC ,KuoPF ,LinTY ,etal.MechanismofluminescenceinInGaN/GaNmultiplequantumwellsquantumwells[J].Appl.Phys.,2000,76(25):3712～3714.
• [6]　朱建军,刘素英,史永生,等.与GaN中缺陷相关的室温光荧光谱[C].第七届全国固体薄膜学术会议,2000.
• [7]　沈学础.半导体光谱和光学性质[M ].北京:科学出版社,2002.
• [8]　LinTY .ConversepiezoelectriceffectandphotoelasticeffectinInGaN/GaNmultiplequantumwellsquantumwells[J].Appl.Phys.,2003,82(6):880～882.