物理实验

2002, (08) 17-20

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利用快速退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒
Growth of nanoscale silicon particles in a-Si:H films by rapid thermal annealing method

薛清,郁伟中,黄远明

摘要(Abstract):

报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法 .含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后 ,用拉曼散射和 X射线衍射技术对样品进行分析 .实验结果表明 :纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄膜中形成 ,而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化 .在升温过程中 ,若单位时间内温度变化量较大 (~ 10 0℃ / s) ,则所形成纳米硅粒较小 (1.6~ 15 nm) ;若单位时间内温度变化量较低 (~ 1℃ / s) ,则纳米硅粒较大 (2 3~ 4 6 nm) .根据晶体生长理论和计算机模拟 ,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系

关键词(KeyWords): 纳米硅;拉曼散射;快速热退火;X射线衍射

Abstract:

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基金项目(Foundation):

作者(Author): 薛清,郁伟中,黄远明

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